岗位职责：
1、负责HBT结构与pHEMT结构外延工艺的开发及优化；
2、制定实验计划，验证新型外延工艺与结构性能；
3、调试生长参数，提升外延膜层均匀性与工艺重复性；
4、排查外延相关制程问题，提升产品良率；
5、开展缺陷溯源分析，定位根本原因并提出改善对策；
6、持续改进外延工艺，确保产品一致性和射频性能达标；
7、为工艺整合团队提供外延技术指导与支持；
8、参与整合方案讨论，输出外延环节专业建议；
9、协同处理跨部门外延相关工艺异常问题；
10、编制并更新外延工艺文件，涵盖流程规范与质控标准；
11、与设备团队紧密协作，明确工艺需求并反馈优化建议；
12、配合完成工艺相关设备的调试与性能优化；
13、参与新进设备的技术评估及工艺验证工作。

任职资格：
1、本科及以上学历，材料科学、机械工程或相关领域专业；
2、具备3-5年半导体制造后段工艺经验，其中至少2年砷化镓射频器件工艺背景；
3、掌握半导体后段工艺原理，熟悉研磨、减薄、键合等工序及相关设备；
4、理解砷化镓射频器件工作机理与性能指标，掌握常用材料分析与表征方法；
5、具备基础统计分析能力及实验设计知识。